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半导体研磨废水怎么处理|半导体研磨废水如何处理

項目背静 本次目隶属于西北的地区两家著名半导体设备营造品牌,最主要产出8英尺和12英尺晶圆。跟随扩产改善,抛光生产工艺引发的废用水量从一开始的200吨/日不断增加到350吨/日,增加了办理措施已没有要求要求,且出水量饮用水不稳定的,亟待扩建工程和创新污废水 办理设备。 废水处理方法的成分及来历 该公司研磨机生活污水主要是出于以内加工过程: 化学上自动化设备磨研设备(CMP)污废水 :包含有二腐蚀硅、腐蚀铝等磨研设备颗粒物,孔径在0.1-1μm区间 晶圆正面研磨设备电镀废水:含带硅粉、金属制正离子(铜、铝等)及少量的有机化学插入剂 切成片研磨抛光电镀废水:注意部分为增碳硅小粒和打孔油面霜 污水基本特性表面为:pH值下降大(2-11)、悬屏物盐浓度高(500-2000mg/L)、含少量天价属和难化学降解氮化合物物,COD一般性在200-500mg/L範圍。 工作新工艺操作流程 经历多少次小试和中试,然后知道采用了以下的加工加工: 改善池 :设置成pH在线视频监测系统软件和自功加量系统软件,将电镀废水pH稳定性在6.5-7.5范围图 混凝土乳浊液 :加药聚合反馈氯化铝(PAC)和阴铁离子型聚丙乙烯酰胺(PAM),混合型喂养反馈后进入斜板沉积池 溶气气浮 :运用组成部分离交柱式溶气气浮,进步骤清理体积小科粒和氢氧化铁东西 多物质吸附 :按照熔融石英砂+可溶性炭二级油烟净化器,确认出水出水SS<10mg/L 膜工作系统性 :涵盖超滤膜(UF)和反渗(RO)两极,RO浓水单单处理 污泥补救补救 :析出和和气气浮污泥处理经板框压滤后土石方工程妥善处理 主要艺指标:沥青混凝土周期G值抑制在60-80s⁻¹,化学反应精力15min;气浮循环比30%,止步精力20min;超滤膜通量60LMH,反渗透装置性回收分类处理率75%。 结果英文感觉 平台使用可靠后,满水后水硬度全实现《电子设备化学工业水感染物尾气直接排放条件条件》(GB39731-2020)很大尾气直接排放条件最大限度规定要求,最主要的指标英文有以下几点: SS<5mg/L(剔除率>99%) COD<30mg/L(清掉率>93%) 铜阳离子<0.3mg/L 溢水回收率高达65%上文 工业废水减轻40% compared to原工序 这项目总成本费约1200亿元,运转成本费约8.5元/吨水,第二年可降低电镀废水减排量7亿吨,收购 水状况英文4亿吨,国家经济高前景和自然环境高前景重要。

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